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京都大學成功利用SiC半導體實現350°C高溫之積體電路基本 ...

此外，京都大學表示此次研究的優點在於提案的電路可利用SiC半導體的標準製程進行製造，但仍需要進一步的基礎研究以確定JFET是否可以如同MOSFET 般達到 ...

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