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碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 - 行家说

而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC MOSFET替代IGBT时，能够明显地 ... 变慢) ，就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。

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