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碳化矽（SiC）MOSFET性能的優勢與技術的難點 - 壹讀

SiC 器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進行電導率調製就能夠以高頻器件結構的MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC ...

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