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功率半導體元件的主流爭霸戰| 雜誌| 聯合新聞網

IGBT元件為複合式構造，輸入端為MOSFET構造，輸出端為BIPOLAR構造，具備低 ... 第三類化合物半導體-碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）兩種材料興起，有助 ...

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