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高功率元件應用研發聯盟

因此，SiC元件通常與矽MOSFET在600V-900V之間，或與IGBT在1kV以上的範圍競爭。 碳化矽MOSFET目前受到越來越多電源設計者的青睞，其中原因包括其常閉特性與受電壓控制的優點 ...

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