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第四代SiC FET突破效能限制- 電子技術設計

人們現在普遍認可，寬能隙(WBG)電晶體就是高效率功率轉換的未來，它的導通損耗和開關損耗均低於其他可比較的矽IGBT或MOSFET。自從2008年寬能隙碳化矽(SiC) ...

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