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碳化硅SiC MOSFET特性-上海菱端电子科技有限公司

3.3 碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压， ... 通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易.

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