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ROHM內建SiC二極體IGBT損耗比傳統產品減少67% - 電子時報

半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR)，...

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