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【TOSHIBA】東芝SiC MOSFET 模塊的特點 - 大大通

此外，高耐熱性和低電感封裝充分發揮了碳化矽的性能。 東芝SiC MOSFET 模塊和IGBT 模塊之間的損耗比較條件：2級電路Fc=7。 2kHz Fout=:50Hz ...

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