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宽禁带半导体：后摩尔时代超车绝佳赛道？ - 电子创新元件网

宽禁带半导体是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，也称“第三代半导体”。 采用SiC、GaN材料制备的半导体器件 ...

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