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【5G半導體超新星】氮化鎵GaN是什麼？未來通訊 - 智選Blog

氮化鎵GaN與碳化矽SiC同為第三代半導體材料，碳化矽SiC可以在元件上帶來：厚度更薄、低能源耗損、耐超大電流、耐1200V以上的高電壓等諸多優質特性都讓 ...

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