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1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5

拓緯是台灣專業製造1200V/470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET),DIP6-5及 ... 拓緯的AA51光耦合繼電器採用碳化矽(Silicon Carbide) 做為內部晶片材料，可負載高達1200伏的 ...

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