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氮化鎵與碳化矽半導體材料之應用趨勢

... 碳化矽（Silicon Carbide；SiC）的能隙寬度為3.05eV，是矽的3倍多，所以說GaN和SiC擁有寬能隙的特質又稱為第三代半導體。GaN相比矽，在同樣的元件尺寸能承受更大的 ...

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