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Si/SiC混并联结构主动温度控制-海飞乐技术有限公司

为此，有文献提出了SiC JFET和Si IGBT的并联结构，该结构结合了SiC JFET、Si IGBT的优点，相对单独的Si IGBT，开关损耗降低了70%，同时成本并未大幅度 ...

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