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CN102842489A - 低偏移平带电压SiC MOS电容制备方法

其制作过程是：对N-SiC外延材料进行标准清洗处理；利用分子束外延的方法在清洗 ... 本发明具有SiO 2 /SiC界面陷阱密度低，MOS电容平带电压偏移小，且工艺简单的优点， ...

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