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宽带隙半导体：GaN 与SiC 的性能和优势对比 - 德州仪器

与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET). 相比，氮化镓(GaN) 和碳化硅(SiC) FET 可提高功率密. 度和效率。尽管GaN 和SiC 均具有宽带隙，但它门之间. 存在根本差异 ...

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