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碳化矽元件技術之近況與展望|崔秉鉞教授 - MA-tek 閎康科技
VDMOSFET 的優點是製程比較簡單,因為製程造成的可靠度問題比較單純。最關鍵的製程是閘極氧化,要有適當的SiO2/SiC 介面鈍化,以提高載子移動率,降低 ...
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