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新電子：2018年版電子工業市場年鑑 - 第 114 頁 - Google 圖書結果

除了展現低切換損耗外,SiC MOSFET在傳導損耗上也有數項優點。事實上,與IGBT的類二極體特性相比,它們表現出類電阻的輸出特性。這種無臨界值導通特性讓部分負載範圍中的 ...

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