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化學氣相沉積碳化矽薄膜

磊晶膜成長的條件為在75 torr的總壓、1600~1700℃的反應溫度下，約可達到9~16 μm/hr。此外，德國半導體設備廠愛思強企業(axitron)提案[1]不同於一般氣體噴頭(shower head) ...

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