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p -CZTSe / n -AZTSe薄膜异质结的快速热处理生长 ... - X-MOL

在我们先前关于Ag 2 ZnSnSe 4的研究中，对RTP的硒化温度，预退火温度和预退火时间进行了优化。成膜温度分别为400°C，250°C和20分钟。

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