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[19]中华人民共和国国家知识产权局

RTP 型退火由此易于产生滑移线,在与本发明(具有边缘并由选自. 于半导体材料的材料构成的多层晶片)有关的晶片中这种缺陷更尤其. 严重。 这种热处理使晶片经受由于很快速 ...

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