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一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计 - 微波射频网

随着IC集成度的提高及器件特征尺寸的减小，栅氧化层厚度越来越薄，其栅的耐压能力显著下降，击穿电压是射频LDMOS器件可靠性的一个重要参数， ...

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