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VCSEL 技術原理與應用 - 第 177 頁 - Google 圖書結果

利用感應耦合電漿活性 ... RIE 蝕刻 SiO2 條件為壓力 100mTorr,RF 功率為 100W,蝕刻氣體為 CF4 及 O2 ,流量分別為 40 sccm 與 5 sccm。加入氧氣有助於清除反應殘餘物, ...

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