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奈米科技導論 - 第 3-30 頁 - Google 圖書結果

因此在 1998 年 G.Viera 等人試著利用此 RF(射頻)電漿進行 Si-C-N 的生成研究。基本原理是在低壓低溫下將脈波電能調整為 RF 電漿後,將原料加熱反應而形成純度很高且粒 ...

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