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一种用于pvt法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法

本发明涉及一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法，步骤如下：1）采用两温区PVT晶体生长炉，将原料、掺杂物进行工艺处理后混合一起放入原料区、衬底放入衬底 ...

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