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一种适用于集成电路中的防漏电mos开关结构 - Google Patents

本发明公开了一种适用于集成电路中的防漏电MOS开关结构，包括1个PMOS管MP1、2个NMOS管MN4、MN5和1个单端输出的运算放大器AMP1；即在串联NMOS开关的基础上， ...

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