故空乏型MOSFET,以n通道為例,加正 GS可以作為增強型操作;加負 GS可以作空乏型操作,其iD- GS特性曲線可以說明其操作模式,如圖14-8所示,其中 GS=0時之汲極飽和電流 ...
確定! 回上一頁