你即將離開本站

並前往https://patents.google.com/patent/CN104377143A/zh

CN104377143A - 一种测试mos器件阱电阻的方法

... 记录该反转点所对应的漏极电流I D,turn ，通过公式R w =V pt /I body ，turn 计算得到阱电阻R w 。本发明选取芯片中本身存在的MOS管作为测试结构来测试阱电阻， ...

確定！ 回上一頁

查詢 「pmos id公式」的人也找了：

  1. pmos電流
    2.
  2. MOS 電流 公式
    3.
  3. 電子學mosfet公式
    4.
  4. TFT 電流公式
    5.
  5. bjt電流公式
    6.
  6. id vg曲線
    7.
  7. vgs vds關係
    8.
  8. mos vth測定方法
    9.