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plasma氣體選擇
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CF4 + O2 和C6F12O + O2 等离子体在反应离子蚀刻应用中的 ...
结果表明,所研究的气体系统显示出处理条件对电子和离子相关等离子体参数以及F ... 出相同的Si 和SiO 2蚀刻速率行为以及非常相似的SiO2 /Si 蚀刻选择性。
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