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具有高深寬比特徵之蝕刻方法

表面並部份露出該矽基材;並且同時將六氟化硫SF6氣體及八氟環丁烷C4F8 氣體提供至一腔體 ... 本方法可形成奈米尺度的深溝槽,且對光阻層有高蝕刻選擇比。

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