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電漿蝕刻SiC 材料與微型模具製作之研究 - CHUR

本實驗是採用RF電漿蝕刻機台並使用CF4和O2反應氣體對SiC材. 料進行蝕刻，並探討氣體O2/CF4流量比 ... Plasma assisted chemical etching is considered to be the most.

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