你即將離開本站

並前往https://tpl.ncl.edu.tw/NclService/pdfdownload?filePath=lV8OirTfsslWcCxIpLbUfhqD9W-i3vsG-jxzIGhcS1y6WCKthJM0BJwybMA32u0v&imgType=Bn5sH4BGpJw=&key=1J6MQcHE0vs0JWWJbLRREjAZ8agWj2_zki8bpxSGcsUeVVU9OyINO4qBZJhLTxWd&xmlId=0004732582

電漿蝕刻在VLSI製程之應用(一)

單的氯化、氟化物發展為多氣體混合化學系 ... (Inductively Coupled Plasma,ICP)電漿。其設 ... 介電材之蝕刻選擇性高,因此其蝕刻氣體及系. 統設計與第一類製程不同。

確定！ 回上一頁

查詢 「plasma氣體選擇」的人也找了：

  1. o2 plasma原理
    2.
  2. 電漿清洗
    3.
  3. plasma表面處理原理
    4.
  4. 電漿氣體
    5.
  5. 電漿設備
    6.
  6. 電漿應用範圍
    7.
  7. 電漿原理ppt
    8.
  8. 電漿磁場
    9.