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半导体制造技术 - 中国科学院微电子研究所

摘要:研究了淀积后退火(PDA)工艺(包括退火环境和退火温度)对高介电常数(h). HO, 概介质MOS 电容(MOSCAP)电学 ... 采用Keithley 4200-SCS 半导体特征分. 析仪进行测试。

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