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CN102064133B - 一种制造半导体器件的方法

本发明不仅可以实现高k栅介质薄膜的氧空位减少及缺陷降低，而且还可以避免传统PDA高温工艺导致的低介电常数SiO x 界面层的生长，从而可以有效地控制整个栅介质层的EOT ...

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