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高介電質與三五族之介面活性層在互補式金屬氧化層半導體之應用

介電質成長後熱退火(PDA)及金屬後熱退火(PMA)製程將會嚴重地影響鉑/三氧化二鋁/砷 ... 透過二氧化鉿/砷化銦鎵(HfO2/In0.53Ga0.47As)金氧半導體元件，研究氮化鋁鈍化層 ...

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