你即將離開本站

並前往https://www.airitilibrary.com/Publication/alDetailedMesh?docid=U0030-1705201615192983

高介電質與三五族之介面活性層在互補式金屬氧化層半導體之應用

介電質成長後熱退火(PDA)及金屬後熱退火(PMA)製程將會嚴重地影響鉑/三氧化二鋁/砷化銦鎵(Pt/Al2O3/In0.53Ga0.47As)結構的金氧半導體電容(MOSCAP)特性。

確定！ 回上一頁

查詢 「pda半導體」的人也找了：