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一新能克服自我加熱效應及浮體效應的多晶矽薄膜電晶體製作

4.1 半導體元件參數量測說明與注意事項. 41. 4.2 IDs - VGs 特性曲線之探討 ... Fig.3.1 元件製作流程附圖：乾氧化形成pad oxide………………………………23.

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