你即將離開本站

並前往http://ftp//s220ftp2.tipo.gov.tw/PatentPubXML/108/PatentPubXML_046017/4617I662606/107109624-A0305.xml

半導體裝置及其形成方法

因此，孔洞(void)與接縫(seam)可能發生在填充於凹陷的半導體材料中。 ... 根據本揭露之一些實施例，墊氧化層(pad oxide layer)與硬遮罩層(未繪示)形成於基板20之上， ...

確定！ 回上一頁

查詢 「pad oxide半導體」的人也找了：

  1. pad oxide中文
    2.
  2. Pad oxide
    3.
  3. 淺溝槽隔離shallow trench isolation sti技術與製作流程
    4.
  4. sacrificial oxide作用
    5.
  5. iso dense半導體
    6.
  6. locos半導體
    7.
  7. STI liner oxide
    8.
  8. 半導體氧化層
    9.