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pad oxide半導體
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TWI656564B - 半導體結構的製造方法
在半導體基底20的上方形成襯墊氧化物(pad oxide)22和硬遮罩24。根據本發明的一些實施例,襯墊氧化物22由氧化矽形成,其可由半導體基底20的表層之氧化而形成。
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