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淺接面結構對功率電晶體電性改善之研究

Keywords：Power MOSFET、EPI、RDS(ON)、Shallow junction. I、緒論. 傳統功率電晶體為達高耐壓高電流的設計，元件電流流向由平面結構設計為垂直結構，如圖1 所示。

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