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TWI459473B - 具有（110）－向性矽之半導體裝置

如圖所示，MOSFET 100包括形成於溝道102內側之閘極電極G。溝道102自一N-井體部區104的頂表面延伸而終止於一P-型漂移或磊晶區106中 ...

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