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新材料可望擴大3D Xpoint記憶體市場版圖 - 電子工程專輯

Intermolecular近來宣佈，該公司已經開發出一種他們認為是業界首創的四級原子層沉積(quaternary ALD) GeAsSeTe OTS元件，可實現3D垂直記憶體陣列。

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