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npn電晶體開關
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具有快速開關和低VCESAT 的1200 V碳化矽雙極性電晶體
圖1顯示了快捷半導體SiC BJT主動區(active region)的橫截面原理圖,該元件是一種垂直磊晶NPN電晶體,集電極在晶圓的背面。基極-發射極和基極-集電極結可 ...
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