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以浮閘極非揮發層狀記憶體開發神經細胞為基底之場效應電晶體 ...

中文 摘要, 二維浮閘極非揮發層狀記憶體(2D FG-NVM)主要操作於外接電壓”觸發”導致 ... 為基底的場效應電晶體(neuron-based FETs)使其偵測與記憶生物訊號神經傳導因子。

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