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應用於非揮發性記憶體之鎳奈米粒嵌入式MANOS 薄膜電晶體 ...

利用F-N tunneling 機制來彎曲能帶進行電子儲存在Ni-NCs 裡面. 的寫入(Program)或是進行電子的抹除(Erase)，其原理為利用電荷的進出電荷捕捉層改. 變元件臨界電壓造成飄移 ...

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