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2021年全球及中國NAND Flash行業市場現狀及發展前景分析 ...

2D結構的存儲單元僅布置在晶片的XY平面中，爲了提高存儲密度，製造商開發了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術，該技術將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。

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