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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 395 頁 - Google 圖書結果

新的 3D NAND 技術,垂直堆疊了多層資料存儲單元,具備卓越的精度。 ... 11.5 發展中的先進記憶體 11.5.1 FRAM FRAM 是 Ferroelectric 鐵電浮動閘極 RAM 的縮寫,採用.

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