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控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體

工作原理. 1. N 通道空乏型MOSFET，在未加任何偏壓時，就已經預置通道，為能有效控制通道大小，控制閘極電壓VGS 在正常情況下，須加負偏壓以控制其通道大小，此與JFET ...

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