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但隨著製造技術的發展和進步，系統設計人員… | by Leo Lin ...

元件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越 ...

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