你即將離開本站

並前往http://www.ce-power.com/web/techdetail-ea93f948964549de99b5e06a1a2f4c05-0302.html

MOS各个参数详解 - 中电华星

故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算. VGS(th) :开启 ... IDSS :饱和漏源电流，栅极电压VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流.

確定！ 回上一頁

查詢 「mosfet vds計算」的人也找了：

  1. mosfet vds是什麼
    2.
  2. vth公式
    3.
  3. mosfet飽和區公式
    4.
  4. mos cox計算
    5.
  5. mosfet工作區
    6.
  6. mosfet飽和區條件
    7.
  7. vgs vds關係
    8.
  8. idsat公式
    9.